有机场效应晶体管（OFETS）是一种有源器材，能够经过改动栅极电压来改动半导体层的导电才能，然后操控经过源漏电极的电流。作为电路中的根本单元，有机场效应晶体管具有功耗低、阻抗高、柔性、低成本、可大面积生产等优势，得到了广泛关注并获得长足的发展。它的组成元器材首要包含电极、有机半导体、绝缘层和衬底，它们对OFET的功能有着非常重要的影响。电极、有机半导体、绝缘层和衬底部分都能够经过PLASMA等离子处理，提高资料的功能。
一、衬底资料 ——PLASMA等离子处理，去除衬底外表杂质，进步外表活性
衬底一般在晶体管的底层，在器材中首要起着支撑的作用。包含资料：玻璃、硅片、石英、聚碳酸酯（PC）、聚乙烯萘（PEN）、聚酰亚胺（PI）、聚乙烯（PET）等可用作OFET的衬底资料。无机衬底具有熔点高，外表润滑等长处，比如玻璃，硅片和石英。聚合物衬底尽管外表粗糙，但这些资料的突出长处是柔性可曲折，比如聚乙烯萘（PEN），聚乙烯（PET）。在准备阶段，需要对衬底资料进行PLSAMA等离子处理，去除衬底外表杂质，进步外表活性，可选用善准VP-S/VP-R/VP-Q系列来处理衬底资料。
二、电极资料——PLASMA等离子处理，进步功函数
电极是有机场效应晶体管（OFET）中另一个重要的组成部分。在有机半导体/电极界面处，一般认为当界面势垒高度△E＜0.4eV时，电极与有机半导体层之间能构成欧姆触摸，关于P型OFET，较高已占轨道(HOMO)能级处于-4.9eV到-5.5eV之间，需选用功函数较高的资料，常用的有Au（-4.8eV-5.1eV）和ITO（-5.1eV）。一般的ITO的功函数偏低，需要进步功函数，因而能够使用善准13.56MHz频率VP-R3等离子处理仪来进步ITO的功函数。
三、绝缘层资料—— PLASMA等离子润饰二氧化硅外表，进步相容性
在器材作业时，电荷首要在半导体与绝缘层界面上积累并传输，为保证栅电极与有机半导体间的栅极漏电流较小，要求绝缘层资料具有较高的电阻，亦即要求具有很好的绝缘性。现在常用的绝缘层资料首要是无机绝缘层资料，如无机氧化物，其间二氧化硅是有机场效应晶体管中普遍选用的绝缘层，但由于二氧化硅的外表存在一定的缺陷，加上它与有机半导体资料的相容性较差。因而需要用等离子处理对二氧化硅外表进行润饰，经试验可知频率13.56MHz的VP-R系列处理作用建议。
四、有机半导体资料—— PLASMA等离子活化和改性处理，进步迁移率
现在，有机半导体资料首要分为小分子及聚合物两大类。从沟道载流子视点区分，有机半导体可分为P型半导体和N型半导体。P型半导体中多数载流子为空穴，N型半导体中多数载流子为电子。P型半导体除了必需的稳定性外，还要具有以下几个条件：（1）HOMO 能级较高，有利于和电极构成欧姆触摸，以便空穴顺畅注入；（2）具有较强的给电子才能。常用资料包含：稠环芳香烃，如并五苯（Pentacene）、红荧烯（Rubrene）；聚合物，如聚（3-己基噻吩）（P3HT），能够经过等离子处理对有机半导体进行活化和改性。同时，经过等离子润饰的绝缘层外表，有利于有机资料沉积更均一性，更平整，这样大大进步了器材的迁移率，进步器材的功能，经过测试善准VP-R和VP-Q系列对有机半导体活化和改性作用显着，能很好地提高资料的功能。
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